能够实现能源网络互联、调度和控制的\能源路由器"(energy outer) 是构建能源互联网的一种直观可行的方案, 能够实现能源控制、信息保障、定制化需求管理、网络运行管理。实现不同特征能源流融合是能源路由器必须具备的功能，能源路由器可以实现能源载体的输入、输出、转换、存储。实现不同能源形式的互联互补、生产与消费环节的有机贯通，实现不同特征能源流的融合。可以支持广域能源网络实现互联;既可以是大型水电厂、风电场、光伏电站能源生产，也可以是园区、楼宇、用户本身的能源生产，实现能源生产商、网络运营商及分散发电与用户即时协作，提供无所不在的能源服务。在转换技术中增加一个信息流，必须维持其接口处的电压和电流水平。能源路由器主要是通过电力潮流输送。为了发挥效率，需要对局部的网络进行能量管理，它的信息流也有相应的运营，信息流方面是很高的技术之一。实现能源路由器分层控制架构、信息通路分集模块、软件定义的能源控制系统、定制化信息模型是关键研究技术。成功运营还需要能源生产、能源调节、能源存储, 以及用能激励策略等多方面支撑。路由器既可以用在交流里面，可以把不同的交流之间进行转换，还可以进行交流和直流的转换。可以接受三个电网的供应，进行功率的双向联动。如果一旦主网出问题的话，它可以跟主网分开，维持内部的电压功能以及它的功能。分层控制功能：Level 0(inner control loops)：具体每一个模块的控制器，包括电压、电流、前馈、反馈、线性、非线性等控制环路。控制输出电压和电流，保证系统稳定。Level 1(primary control): 包含下垂控制，使得系统稳定和过阻尼。使用虚拟阻抗控制环模拟物理输出阻抗Level 2 (secondary control): 确保微网中参数(电压、频率等)符合要求，并且包括同步控制环实现并网和离网的无缝切换Level 3 (tertiary control):能量层控制：管理微网和大电网之间的能量流动。
1、配电线损模块电能计量及测量；2、配电线损模块时钟，可通过 RS232/485 接口可对配电线损采集模块校时；3、配电线损采集模块清零；4、配电线损模块数据存储与冻结，冻结内容及标识符应符合 DL/T 634.5101—2002 及其备案文件要求；5、配电线损模块事件记录，可记录每种事件总发生次数和（或）总累计时间；6、配电线损模块准确度要求；有功电能准确度要求应符合GB/T 17215.322－2008中8的规定；无功电能准确度要求应符合GB/T17215.323－2008中8的规定。
重点攻关高密、高速、可调等高端光电子器件产品的封装工艺技术，解决异质材料光波导间的阵列耦合设计与工艺技术、异质材料间的高速电信号匹配与高速封装工艺技术、光波导间低损耗、低回损耦合技术等封装技术问题。尽快推出光传输网络用40Gb/s/100Gb/s 及以上速率光收发模块产品，并形成规模化量产。需达到的技术指标：1、符合QSFP MSA 、IEEE 802.3ba 40GBASE--SR4/LR4/ER42、支持103.1Gb/s及112Gb/s速率3、采用双纤LC可插拔接口4、采用MDIO管理接口，CDR功能，支持数字诊断功能5、传输距离可达40km@SMF6、满足EMI、ESD、RoHS-6要求7、工作温度：0℃~70℃
技术需求：1、铸造单晶技术主要利用铸锭炉，定向生长方式生产准单晶硅片，具体技术要求如下：1) 单晶面积占整个大锭面积290%;2) 硅料一次利用率265%;3) 单晶籽晶板重复利用次数22次;4) 整锭光电转换效率220% (结合PREC工艺);2、低光衰、髙电阻分布均匀度的两元/三元共掺技术 主要利用B-Ga或者B-P-Ga三元共掺技术，获得低光衰、髙电 阻分布均匀度的高效多晶硅片，具体技术指标如下：1) 利用两元/三元共掺技术，利用PREC工艺电池光衰 <1.5%;2) 硅片整锭电阻要求控制在1?3Q_cm，其中l?1.8Q_cm硅片 占80%以上;3) 利用PREC工艺，整点光电转换效率220%。
新型SiC基MOSFET器件结构为紧凑型碳化硅基MOSFET的元胞、终端和多层复合型栅结构。需要优化碳化硅基MOSFET设计及工艺流程，降低单位面积导通电阻Ronsp≤4mOhm*cm2，同时提高产品生产成品率达90%;（科技成果评价）提高栅源间耐负压的能力BVgs达到-10V，配合国产衬底及外延材料的验证，实现器件材料用国产化;进一步改进硅基功率MOSFET的高温漏电的特性，使产品达到工业级标准。
