(1)考虑将篮球架的透明玻璃篮板做成显示屏，以便在比赛间隙能和场馆的中央显示屏同步显示内容，增加与观众的互动性，同时要充分考虑到篮架使用时球对篮板的冲击以及别的可能受到的撞击。要求屏幕尺寸约1800*1050(基本等同篮板大小)，透光率≥80%，点距≤1cm，能抗击比赛中篮球对篮板的冲击(按DIN 18032-3规定的方法测试后，仍能正常工作)，比赛场馆内亮度1250lux光照下，显示画面清楚可见，传输方式为有线。(2)在篮球架的立柱部分包裹显示屏，作为广告或者互动用，要充分考虑与其他显示屏的同步性，同时也可单独使用。（科技成果评价）要求屏幕约与立柱共形，屏幕分辨率高于篮板屏幕，能经受一定的冲击和振动(按DIN 18032-3规定的方法测试后，仍能正常工作)，比赛场馆内光照下显示画面清楚可见，传输方式为有线。
1、配电线损模块电能计量及测量；2、配电线损模块时钟，可通过 RS232/485 接口可对配电线损采集模块校时；3、配电线损采集模块清零；4、配电线损模块数据存储与冻结，冻结内容及标识符应符合 DL/T 634.5101—2002 及其备案文件要求；5、配电线损模块事件记录，可记录每种事件总发生次数和（或）总累计时间；6、配电线损模块准确度要求；有功电能准确度要求应符合GB/T 17215.322－2008中8的规定；无功电能准确度要求应符合GB/T17215.323－2008中8的规定。
技术需求：1、铸造单晶技术主要利用铸锭炉，定向生长方式生产准单晶硅片，具体技术要求如下：1) 单晶面积占整个大锭面积290%;2) 硅料一次利用率265%;3) 单晶籽晶板重复利用次数22次;4) 整锭光电转换效率220% (结合PREC工艺);2、低光衰、髙电阻分布均匀度的两元/三元共掺技术 主要利用B-Ga或者B-P-Ga三元共掺技术，获得低光衰、髙电 阻分布均匀度的高效多晶硅片，具体技术指标如下：1) 利用两元/三元共掺技术，利用PREC工艺电池光衰 <1.5%;2) 硅片整锭电阻要求控制在1?3Q_cm，其中l?1.8Q_cm硅片 占80%以上;3) 利用PREC工艺，整点光电转换效率220%。
新型SiC基MOSFET器件结构为紧凑型碳化硅基MOSFET的元胞、终端和多层复合型栅结构。需要优化碳化硅基MOSFET设计及工艺流程，降低单位面积导通电阻Ronsp≤4mOhm*cm2，同时提高产品生产成品率达90%;（科技成果评价）提高栅源间耐负压的能力BVgs达到-10V，配合国产衬底及外延材料的验证，实现器件材料用国产化;进一步改进硅基功率MOSFET的高温漏电的特性，使产品达到工业级标准。
PDM系统维护与升级：1、缺少PDM系统维护;2、PM系统的升级：由于系统在开发过程中，根据需求进行开发，特别是与CAD的集成，因此造成系统无法进行升级，电脑只能使用XP系统，CAD只能使用2008以下的版本，随着XP系统逐步淘汰，对后续电脑更新也带来困难，造成新购买的电脑无法使用。
滤油设备能在变压器正常工作状态下对变压器本体中的油实现状态检测，当检测到变压器本体中的油质某一种参数发生变化时，能对变压器中的油进入定性过滤。要求该设备具有智能在线检测功能，在线自动过滤功能。能在变压器不停电的情况下，实现对变压器本体真空脱水、脱气、除杂、脱酸等过滤，目前国外已有设备，国内空白。
